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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPD25CN10NGATMA1
IPD25CN10NGATMA1 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPD25CN10NGATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPD25CN10NGATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPD25CN10NGATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IPD25CN10NGATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 67860

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Anzahl

Spezifikation

IPD25CN10NGATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPD25CN10NGATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPD25CN10NGATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 39µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 35A, 10V  
Verlustleistung (max) 71W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2070 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc)  
Grundproduktnummer IPD25CN10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPD25CN10NGATMA1.

Produkteigenschaften IPD25CN10NGATMA1 IPD230N06LG IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25CN10
Artikelnummer IPD25CN10NGATMA1 IPD230N06LG IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25CN10
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc) 30A (Tc) 25A (Tc) -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 4.5V, 10V -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 60 V 60 V -
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) -
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 39µA 2V @ 49µA 2.2V @ 8µA -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3-11 -
Vgs (Max) ±20V - ±16V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2070 pF @ 50 V 1500 pF @ 30 V 1220 pF @ 25 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 35A, 10V 23mOhm @ 30A, 10V 30mOhm @ 25A, 10V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Verlustleistung (max) 71W (Tc) - 29W (Tc) -
Grundproduktnummer IPD25CN10 - IPD25N06 -
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 16.3 nC @ 10 V -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -

IPD25CN10NGATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPD25CN10NGATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPD25CN10NGATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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