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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPD30N03S4L14ATMA1
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IPD30N03S4L14ATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPD30N03S4L14ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPD30N03S4L14ATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IPD30N03S4L14ATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 61350

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Anzahl

Spezifikation

IPD30N03S4L14ATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPD30N03S4L14ATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPD30N03S4L14ATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 10µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3-11  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.6mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 31W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 980 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc)  
Grundproduktnummer IPD30N03  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPD30N03S4L14ATMA1.

Produkteigenschaften IPD30N03S4L14ATMA1 IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L-13 IPD30N06S2L-23
Artikelnummer IPD30N03S4L14ATMA1 IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L-13 IPD30N06S2L-23
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 55 V 55 V 55 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V ±20V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer IPD30N03 IPD30N06 IPD30N -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 10µA 2V @ 80µA 2V @ 80µA 2V @ 50µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc) 30A (Tc) 30A (Tc) 30A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.6mOhm @ 30A, 10V 13mOhm @ 30A, 10V 13mOhm @ 30A, 10V 23mOhm @ 22A, 10V
Verlustleistung (max) 31W (Tc) 136W (Tc) 136W (Tc) 100W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-11
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 980 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 1091 pF @ 25 V

IPD30N03S4L14ATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPD30N03S4L14ATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPD30N03S4L14ATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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