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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPD50N03S2L06ATMA1
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IPD50N03S2L06ATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPD50N03S2L06ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPD50N03S2L06ATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IPD50N03S2L06ATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 24471

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Anzahl

Spezifikation

IPD50N03S2L06ATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPD50N03S2L06ATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPD50N03S2L06ATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 85µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3-11  
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.4mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 136W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)  
Grundproduktnummer IPD50  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPD50N03S2L06ATMA1.

Produkteigenschaften IPD50N03S2L06ATMA1 IPD50N03S207ATMA1 IPD50N03S4L06ATMA1 IPD50N03S2-07
Artikelnummer IPD50N03S2L06ATMA1 IPD50N03S207ATMA1 IPD50N03S4L06ATMA1 IPD50N03S2-07
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-1
Verlustleistung (max) 136W (Tc) 136W (Tc) 56W (Tc) 136W (Tc)
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 85µA 4V @ 85µA 2.2V @ 20µA 4V @ 85µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±16V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V 2000 pF @ 25 V 2330 pF @ 25 V 2000 pF @ 25 V
Grundproduktnummer IPD50 IPD50 IPD50 IPD50
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.4mOhm @ 50A, 10V 7.3mOhm @ 50A, 10V 5.5mOhm @ 50A, 10V 7.3mOhm @ 50A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD50N03S2L06ATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPD50N03S2L06ATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPD50N03S2L06ATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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