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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPD50N06S2-14
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPD50N06S2-14 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPD50N06S2-14
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPD50N06S2-14
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IPD50N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IPD50N06S2-14.pdf
vorrätig: 5480

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Anzahl

Spezifikation

IPD50N06S2-14 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPD50N06S2-14 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPD50N06S2-14

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 80µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3-11  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.4mOhm @ 32A, 10V  
Verlustleistung (max) 136W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1485 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPD50N06S2-14.

Produkteigenschaften IPD50N06S2-14 IPD50N04S410ATMA1 IPD50N06S2L13ATMA2 IPD50N04S408ATMA1
Artikelnummer IPD50N06S2-14 IPD50N04S410ATMA1 IPD50N06S2L13ATMA2 IPD50N04S408ATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 80µA 4V @ 15µA 2V @ 80µA 4V @ 17µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 40 V 55 V 40 V
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-313 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-313
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Verlustleistung (max) 136W (Tc) 41W (Tc) 136W (Tc) 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.4mOhm @ 32A, 10V 9.3mOhm @ 50A, 10V 12.7mOhm @ 34A, 10V 7.9mOhm @ 50A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V 18.2 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V 22.4 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1485 pF @ 25 V 1430 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 1780 pF @ 6 V

Lieferung

Lieferzeit

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Versandkosten

  1. Verwenden Sie Ihr Expresskonto für den Versand, wenn Sie einen haben.
  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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