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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPD50P03P4L11ATMA1
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IPD50P03P4L11ATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPD50P03P4L11ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPD50P03P4L11ATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IPD50P03P4L11ATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 51730

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Anzahl

Spezifikation

IPD50P03P4L11ATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPD50P03P4L11ATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPD50P03P4L11ATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 85µA  
Vgs (Max) +5V, -16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3-11  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 58W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3770 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)  
Grundproduktnummer IPD50  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPD50P03P4L11ATMA1.

Produkteigenschaften IPD50P03P4L11ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50P04P413ATMA1 IPD50N12S3L15ATMA1
Artikelnummer IPD50P03P4L11ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50P04P413ATMA1 IPD50N12S3L15ATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 100 V 40 V 120 V
Verlustleistung (max) 58W (Tc) 100W (Tc) 58W (Tc) 100W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-313 PG-TO252-3-11
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V 64 nC @ 10 V 51 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3770 pF @ 25 V 4180 pF @ 25 V 3670 pF @ 25 V 7180 pF @ 25 V
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 50A, 10V 15mOhm @ 50A, 10V 12.6mOhm @ 50A, 10V 15mOhm @ 50A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Grundproduktnummer IPD50 IPD50 IPD50 IPD50
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 85µA 2.4V @ 60µA 4V @ 85µA 2.4V @ 60µA
Vgs (Max) +5V, -16V ±20V ±20V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD50P03P4L11ATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPD50P03P4L11ATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPD50P03P4L11ATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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