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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPD60R3K3C6
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IPD60R3K3C6 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPD60R3K3C6
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPD60R3K3C6
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IPD60R3K3C6.pdf
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 3870

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Spezifikation

IPD60R3K3C6 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPD60R3K3C6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPD60R3K3C6

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 40µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3  
Serie CoolMOS™ C6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3Ohm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 18.1W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 93 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.6 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.7A (Tc)  
Grundproduktnummer IPD60R  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPD60R3K3C6.

Produkteigenschaften IPD60R3K3C6 IPD60R520CP IPD60R380P6ATMA1 IPD60R400CEAUMA1
Artikelnummer IPD60R3K3C6 IPD60R520CP IPD60R380P6ATMA1 IPD60R400CEAUMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon
Grundproduktnummer IPD60R IPD60R IPD60R -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.7A (Tc) 6.8A (Tc) 10.6A (Tc) -
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) -
Serie CoolMOS™ C6 CoolMOS™ CP CoolMOS™ P6 -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3 PG-TO252-3-313 PG-TO252-3 -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.6 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V -
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 40µA 3.5V @ 250µA 4.5V @ 320µA -
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 18.1W (Tc) 66W (Tc) 83W (Tc) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3Ohm @ 500mA, 10V 520mOhm @ 3.8A, 10V 380mOhm @ 3.8A, 10V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 93 pF @ 100 V 630 pF @ 100 V 877 pF @ 100 V -
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -

IPD60R3K3C6 Datenblatt PDF

Laden Sie IPD60R3K3C6 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPD60R3K3C6 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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