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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPI072N10N3G
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPI072N10N3G - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPI072N10N3G
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPI072N10N3G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
IPI072N10N3G.pdf
vorrätig: 46307

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Spezifikation

IPI072N10N3G Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPI072N10N3G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPI072N10N3G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 90µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO262-3-1  
Serie OptiMOS® 3  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 80A, 10V  
Verlustleistung (max) 150W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4910 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPI072N10N3G.

Produkteigenschaften IPI072N10N3G IPI052NE7N3G IPI041N12N3G IPI034NE7N3G
Artikelnummer IPI072N10N3G IPI052NE7N3G IPI041N12N3G IPI034NE7N3G
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verlustleistung (max) 150W (Tc) 150W (Tc) - 214W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie OptiMOS® 3 OptiMOS™ - OptiMOS™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA - TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V - 117 nC @ 10 V
Paket Bulk Bulk - Bulk
Supplier Device-Gehäuse PG-TO262-3-1 PG-TO262-3 - PG-TO262-3
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 80A, 10V 5.2mOhm @ 80A, 10V - 3.4mOhm @ 100A, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole - Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel - N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 75 V - 75 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) 80A (Tc) - 100A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4910 pF @ 50 V 4750 pF @ 37.5 V - 8130 pF @ 37.5 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V - -
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 90µA 3.8V @ 91µA - 3.8V @ 155µA

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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