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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPI65R600C6
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPI65R600C6 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPI65R600C6
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPI65R600C6
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
IPI65R600C6.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4960

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Anzahl

Spezifikation

IPI65R600C6 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPI65R600C6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPI65R600C6

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 210µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO262-3-1  
Serie CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 2.1A, 10V  
Verlustleistung (max) 63W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.3A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPI65R600C6.

Produkteigenschaften IPI65R600C6 IPI80N04S403AKSA1 IPI65R280C6 IPI60R385CP
Artikelnummer IPI65R600C6 IPI80N04S403AKSA1 IPI65R280C6 IPI60R385CP
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 2.1A, 10V 3.7mOhm @ 80A, 10V 280mOhm @ 4.4A, 10V 385mOhm @ 5.2A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 40 V 650 V 600 V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 210µA 4V @ 53µA 3.5V @ 440µA 3.5V @ 340µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.3A (Tc) 80A (Tc) 13.8A (Tc) 9A (Tc)
Serie CoolMOS™ OptiMOS™ CoolMOS C6™ CoolMOS™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 100 V 5260 pF @ 25 V 950 pF @ 100 V 790 pF @ 100 V
Paket Bulk Tube Bulk Bulk
Verlustleistung (max) 63W (Tc) 94W (Tc) 104W (Tc) 83W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse PG-TO262-3-1 PG-TO262-3 PG-TO262-3-1 PG-TO262-3-1
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

Lieferung

Lieferzeit

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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