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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPL60R125C7AUMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPL60R125C7AUMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPL60R125C7AUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPL60R125C7AUMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
4-PowerTSFN
Datenblatt
IPL60R125C7AUMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 10112

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Anzahl

Spezifikation

IPL60R125C7AUMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPL60R125C7AUMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPL60R125C7AUMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 390µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-VSON-4  
Serie CoolMOS™ C7  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 7.8A, 10V  
Verlustleistung (max) 103W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 4-PowerTSFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc)  
Grundproduktnummer IPL60R  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPL60R125C7AUMA1.

Produkteigenschaften IPL60R125C7AUMA1 IPL60R115CFD7AUMA1 IPL60R075CFD7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1
Artikelnummer IPL60R125C7AUMA1 IPL60R115CFD7AUMA1 IPL60R075CFD7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verlustleistung (max) 103W (Tc) - 189W (Tc) 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 7.8A, 10V - 75mOhm @ 15.1A, 10V 105mOhm @ 10.5A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 400 V - 2721 pF @ 400 V 1952 pF @ 400 V
Befestigungsart Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel - N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer IPL60R IPL60R IPL60R075 IPL60R
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) - -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Serie CoolMOS™ C7 - CoolMOS™ CFD7 CoolMOS™ P7
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V - 67 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc) 22A (Tc) 33A (Tc) 33A (Tc)
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 390µA - 4.5V @ 760µA 4V @ 530µA
Supplier Device-Gehäuse PG-VSON-4 - PG-VSON-4 PG-VSON-4
Verpackung / Gehäuse 4-PowerTSFN - 4-PowerTSFN 4-PowerTSFN
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V - 600 V 600 V

IPL60R125C7AUMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPL60R125C7AUMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPL60R125C7AUMA1 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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