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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPL60R385CP
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPL60R385CP - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPL60R385CP
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPL60R385CP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
4-PowerTSFN
Datenblatt
IPL60R385CP.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5100

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Anzahl

Spezifikation

IPL60R385CP Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPL60R385CP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPL60R385CP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 340µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-VSON-4-1  
Serie CoolMOS™ CP  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 385mOhm @ 5.2A, 10V  
Verlustleistung (max) 83W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 4-PowerTSFN  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPL60R385CP.

Produkteigenschaften IPL60R385CP IPL65R195C7AUMA1 IPL60R285P7AUMA1 IPL60R365P7AUMA1
Artikelnummer IPL60R385CP IPL65R195C7AUMA1 IPL60R285P7AUMA1 IPL60R365P7AUMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 650 V 600 V 600 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 83W (Tc) 75W (Tc) 59W (Tc) 46W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 100 V 1150 pF @ 400 V 761 pF @ 400 V 555 pF @ 400 V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc) 12A (Tc) 13A (Tc) 10A (Tc)
Verpackung / Gehäuse 4-PowerTSFN 4-PowerTSFN 4-PowerTSFN 4-PowerTSFN
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 385mOhm @ 5.2A, 10V 195mOhm @ 2.9A, 10V 285mOhm @ 3.8A, 10V 365mOhm @ 2.7A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 340µA 4V @ 290µA 4V @ 190µA 4V @ 140µA
Serie CoolMOS™ CP CoolMOS™ C7 CoolMOS™ P7 CoolMOS™ P7
Supplier Device-Gehäuse PG-VSON-4-1 PG-VSON-4 PG-VSON-4 PG-VSON-4
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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