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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPP023N08N5AKSA1
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IPP023N08N5AKSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPP023N08N5AKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPP023N08N5AKSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IPP023N08N5AKSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 20295

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Anzahl

Spezifikation

IPP023N08N5AKSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPP023N08N5AKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPP023N08N5AKSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.8V @ 208µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12100 pF @ 40 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 166 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc)  
Grundproduktnummer IPP023  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPP023N08N5AKSA1.

Produkteigenschaften IPP023N08N5AKSA1 IPP024N06N3G IPP023NE7N3G IPP023N10N5AKSA1
Artikelnummer IPP023N08N5AKSA1 IPP024N06N3G IPP023NE7N3G IPP023N10N5AKSA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 100A, 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3 PG-TO220-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket Tube Bulk Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V 60 V 75 V 100 V
VGS (th) (Max) @ Id 3.8V @ 208µA 4V @ 196µA 3.8V @ 273µA 3.8V @ 270µA
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ 3 OptiMOS™ 3 OptiMOS™
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Grundproduktnummer IPP023 - IPP023N IPP023
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 250W (Tc) 300W (Tc) 375W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12100 pF @ 40 V 23000 pF @ 30 V 14400 pF @ 37.5 V 15600 pF @ 50 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V 10V 6V, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 166 nC @ 10 V 275 nC @ 10 V 206 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IPP023N08N5AKSA1 Datenblatt PDF

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