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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPP027N08N5AKSA1
IPP027N08N5AKSA1 Image
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IPP027N08N5AKSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPP027N08N5AKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPP027N08N5AKSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IPP027N08N5AKSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 12318

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Anzahl

Spezifikation

IPP027N08N5AKSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPP027N08N5AKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPP027N08N5AKSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.8V @ 154µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 214W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8970 pF @ 40 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 123 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc)  
Grundproduktnummer IPP027  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPP027N08N5AKSA1.

Produkteigenschaften IPP027N08N5AKSA1 IPP023NE7N3G IPP023N10N5AKSA1 IPP024N06N3G
Artikelnummer IPP027N08N5AKSA1 IPP023NE7N3G IPP023N10N5AKSA1 IPP024N06N3G
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3-1
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8970 pF @ 40 V 14400 pF @ 37.5 V 15600 pF @ 50 V 23000 pF @ 30 V
VGS (th) (Max) @ Id 3.8V @ 154µA 3.8V @ 273µA 3.8V @ 270µA 4V @ 196µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket Tube Tube Tube Bulk
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V 75 V 100 V 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 123 nC @ 10 V 206 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V 275 nC @ 10 V
Grundproduktnummer IPP027 IPP023N IPP023 -
Verlustleistung (max) 214W (Tc) 300W (Tc) 375W (Tc) 250W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 100A, 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ 3 OptiMOS™ OptiMOS™ 3
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V 6V, 10V 10V

IPP027N08N5AKSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPP027N08N5AKSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPP027N08N5AKSA1 - Infineon Technologies herunter.

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