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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPP04CN10NG
IPP04CN10NG Image
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IPP04CN10NG - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPP04CN10NG
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPP04CN10NG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IP(B,I,P)04CN10N G.pdf
vorrätig: 4050

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Spezifikation

IPP04CN10NG Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPP04CN10NG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPP04CN10NG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13800 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)  
Grundproduktnummer IPP04C  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPP04CN10NG.

Produkteigenschaften IPP04CN10NG IPP050N10NF2SAKMA1 IPP04CN10NGXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1
Artikelnummer IPP04CN10NG IPP050N10NF2SAKMA1 IPP04CN10NGXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 6V, 10V 10V 6V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3.8V @ 84µA 4V @ 250µA 3.5V @ 150µA
Serie OptiMOS™ StrongIRFET™ 2 OptiMOS™ 2 OptiMOS™
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13800 pF @ 50 V 3600 pF @ 50 V 13800 pF @ 50 V 8410 pF @ 50 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Grundproduktnummer IPP04C IPP050M IPP04CN10 IPP045
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 100A, 10V 5mOhm @ 60A, 10V 4.2mOhm @ 100A, 10V 4.5mOhm @ 100A, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc) 19.4A (Ta), 110A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc)
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) 300W (Tc) 214W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V 76 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V 117 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -

IPP04CN10NG Datenblatt PDF

Laden Sie IPP04CN10NG PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPP04CN10NG - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
Datenblätter
IP(B,I,P)04CN10N G.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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