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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPP051N15N5AKSA1
IPP051N15N5AKSA1 Image
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IPP051N15N5AKSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPP051N15N5AKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPP051N15N5AKSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 120A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IPP051N15N5AKSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 12093

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Anzahl

Spezifikation

IPP051N15N5AKSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPP051N15N5AKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPP051N15N5AKSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4.6V @ 264µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3  
Serie OptiMOS™ 5  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1mOhm @ 60A, 10V  
Verlustleistung (max) 500mW (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7800 pF @ 75 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc)  
Grundproduktnummer IPP051  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPP051N15N5AKSA1.

Produkteigenschaften IPP051N15N5AKSA1 IPP050N10NF2SAKMA1 IPP050NE7N3G IPP052N7N3G
Artikelnummer IPP051N15N5AKSA1 IPP050N10NF2SAKMA1 IPP050NE7N3G IPP052N7N3G
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) INFENON
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1mOhm @ 60A, 10V 5mOhm @ 60A, 10V - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -
Grundproduktnummer IPP051 IPP050M - -
FET-Merkmal - - - -
Serie OptiMOS™ 5 StrongIRFET™ 2 - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V 76 nC @ 10 V - -
VGS (th) (Max) @ Id 4.6V @ 264µA 3.8V @ 84µA - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole - -
Paket Tube Tube - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7800 pF @ 75 V 3600 pF @ 50 V - -
Typ FET N-Channel N-Channel - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 100 V - -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3 PG-TO220-3 - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc) 19.4A (Ta), 110A (Tc) - -
Verlustleistung (max) 500mW (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V 6V, 10V - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 - -

IPP051N15N5AKSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPP051N15N5AKSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPP051N15N5AKSA1 - Infineon Technologies herunter.

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