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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPP065N03LG
Infineon Technologies
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IPP065N03LG - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPP065N03LG
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPP065N03LG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IPP065N03LG.pdf
RoHS Status
vorrätig: 124060

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Spezifikation

IPP065N03LG Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPP065N03LG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPP065N03LG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-1  
Serie CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 56W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPP065N03LG.

Produkteigenschaften IPP065N03LG IPP05N03LA IPP06N03LA IPP062NE7N3G
Artikelnummer IPP065N03LG IPP05N03LA IPP06N03LA IPP062NE7N3G
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verlustleistung (max) 56W (Tc) 94W (Tc) 83W (Tc) 136W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V 25 nC @ 5 V 22 nC @ 5 V 55 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) 80A (Tc) 50A (Tc) 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 30A, 10V 4.9mOhm @ 55A, 10V 6.2mOhm @ 30A, 10V 6.2mOhm @ 73A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Serie CoolMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ 3
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Paket Bulk Tube Tube Bulk
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 2V @ 50µA 2V @ 40µA 3.8V @ 70µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 15 V 3110 pF @ 15 V 2653 pF @ 15 V 3840 pF @ 37.5 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-1 PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3-1
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 25 V 25 V 75 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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