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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPP070N08N3G
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPP070N08N3G - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPP070N08N3G
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPP070N08N3G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IPP070N08N3G.pdf
RoHS Status
vorrätig: 48120

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Anzahl

Spezifikation

IPP070N08N3G Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPP070N08N3G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPP070N08N3G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 73µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 73A, 10V  
Verlustleistung (max) 136W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3840 pF @ 40 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPP070N08N3G.

Produkteigenschaften IPP070N08N3G IPP06CN10LG IPP065N04NG IPP06N03LA
Artikelnummer IPP070N08N3G IPP06CN10LG IPP065N04NG IPP06N03LA
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Bulk Bulk Bulk Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) 100A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ 2 OptiMOS™ OptiMOS™
Verlustleistung (max) 136W (Tc) 214W (Tc) 68W (Tc) 83W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3840 pF @ 40 V 11900 pF @ 50 V 2800 pF @ 20 V 2653 pF @ 15 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V 100 V 40 V 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3 PG-TO220-3
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 73µA 2.4V @ 180µA 4V @ 200µA 2V @ 40µA
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V 124 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 22 nC @ 5 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 73A, 10V 6.2mOhm @ 100A, 10V 6.5mOhm @ 50A, 10V 6.2mOhm @ 30A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V

Lieferung

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Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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