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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPP076N15N5AKSA1
IPP076N15N5AKSA1 Image
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IPP076N15N5AKSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPP076N15N5AKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPP076N15N5AKSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 112A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IPP076N15N5AKSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 16300

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Anzahl

Spezifikation

IPP076N15N5AKSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPP076N15N5AKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPP076N15N5AKSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4.6V @ 160µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3  
Serie OptiMOS™ 5  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.6mOhm @ 56A, 10  
Verlustleistung (max) 214W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4700 pF @ 75 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal Standard  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 112A (Tc)  
Grundproduktnummer IPP076  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPP076N15N5AKSA1.

Produkteigenschaften IPP076N15N5AKSA1 IPP076N12N3G IPP075N15N3GXKSA1 IPP080N03L
Artikelnummer IPP076N15N5AKSA1 IPP076N12N3G IPP075N15N3GXKSA1 IPP080N03L
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
FET-Merkmal Standard - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 - TO-220-3 -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V - 93 nC @ 10 V -
Verlustleistung (max) 214W (Tc) - 300W (Tc) -
Vgs (Max) ±20V - ±20V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 112A (Tc) - 100A (Tc) -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V - 8V, 10V -
Befestigungsart Through Hole - Through Hole -
Grundproduktnummer IPP076 - IPP075 -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.6mOhm @ 56A, 10 - 7.5mOhm @ 100A, 10V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V - 150 V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4700 pF @ 75 V - 5470 pF @ 75 V -
VGS (th) (Max) @ Id 4.6V @ 160µA - 4V @ 270µA -
Serie OptiMOS™ 5 - OptiMOS™ -
Paket Tube - Tube -
Typ FET N-Channel - N-Channel -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3 - PG-TO220-3 -

IPP076N15N5AKSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPP076N15N5AKSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPP076N15N5AKSA1 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
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Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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