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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPP082N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
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IPP082N10NF2SAKMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPP082N10NF2SAKMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPP082N10NF2SAKMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRENCH >=100V
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IPP082N10NF2SAKMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 45090

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Anzahl

Spezifikation

IPP082N10NF2SAKMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPP082N10NF2SAKMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPP082N10NF2SAKMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.8V @ 46µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3  
Serie StrongIRFET™ 2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 100W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Ta), 77A (Tc)  
Grundproduktnummer IPP082N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPP082N10NF2SAKMA1.

Produkteigenschaften IPP082N10NF2SAKMA1 IPP084N06L3GXKSA1 IPP083N10N5AKSA1 IPP086N10N3
Artikelnummer IPP082N10NF2SAKMA1 IPP084N06L3GXKSA1 IPP083N10N5AKSA1 IPP086N10N3
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 50A, 10V 8.4mOhm @ 50A, 10V 8.3mOhm @ 73A, 10V 8.6mOhm @ 73A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Ta), 77A (Tc) 50A (Tc) 73A (Tc) 80A (Tc)
Paket Tube Tube Tube Bulk
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 50 V 4900 pF @ 30 V 2730 pF @ 50 V 3980 pF @ 50 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 100W (Tc) 79W (Tc) 100W (Tc) 125W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 3.8V @ 46µA 2.2V @ 34µA 3.8V @ 49µA 3.5V @ 75µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V 29 nC @ 4.5 V 37 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie StrongIRFET™ 2 OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Grundproduktnummer IPP082N IPP084 IPP083 -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3-1
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 60 V 100 V 100 V

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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