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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPP09N03LA
IPP09N03LA Image
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IPP09N03LA - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPP09N03LA
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPP09N03LA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IPI,IPP09N03LA.pdf
vorrätig: 4710

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Anzahl

Spezifikation

IPP09N03LA Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPP09N03LA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPP09N03LA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.2mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 63W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1642 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)  
Grundproduktnummer IPP09N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPP09N03LA.

Produkteigenschaften IPP09N03LA IPP086N10NG IPP100N04S3 IPP100N04S2L
Artikelnummer IPP09N03LA IPP086N10NG IPP100N04S3 IPP100N04S2L
Hersteller Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) INFINEO Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - - -
Grundproduktnummer IPP09N - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) - - -
Typ FET N-Channel - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1642 pF @ 15 V - - -
Serie OptiMOS™ - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 - - -
Vgs (Max) ±20V - - -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3 - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 5 V - - -
Paket Tube - - -
Befestigungsart Through Hole - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V - - -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.2mOhm @ 30A, 10V - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) - - -
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 63W (Tc) - - -

IPP09N03LA Datenblatt PDF

Laden Sie IPP09N03LA PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPP09N03LA - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
IPI,IPP09N03LA.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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