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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPP110N20N3GXKSA1
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IPP110N20N3GXKSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPP110N20N3GXKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPP110N20N3GXKSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IPP110N20N3GXKSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 9252

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Spezifikation

IPP110N20N3GXKSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPP110N20N3GXKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPP110N20N3GXKSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 88A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7100 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 88A (Tc)  
Grundproduktnummer IPP110  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPP110N20N3GXKSA1.

Produkteigenschaften IPP110N20N3GXKSA1 IPP120N04S3-02 IPP114N03LG IPP111N15N3
Artikelnummer IPP110N20N3GXKSA1 IPP120N04S3-02 IPP114N03LG IPP111N15N3
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies INFIONE
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 300W (Tc) 38W (Tc) -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 88A, 10V 2.3mOhm @ 80A, 10V 11.4mOhm @ 30A, 10V -
Serie OptiMOS™ OptiMOS® OptiMOS™ -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3 -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA 4V @ 230µA 2.2V @ 250µA -
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Bulk Bulk -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7100 pF @ 100 V 14300 pF @ 25 V 1500 pF @ 15 V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 88A (Tc) 120A (Tc) 30A (Tc) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 40 V 30 V -
Grundproduktnummer IPP110 - - -

IPP110N20N3GXKSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPP110N20N3GXKSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPP110N20N3GXKSA1 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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