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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPP14N03LA
IPP14N03LA Image
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IPP14N03LA - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPP14N03LA
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPP14N03LA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 30A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IPI,IPP14N03LA.pdf
vorrätig: 4010

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Anzahl

Spezifikation

IPP14N03LA Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPP14N03LA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPP14N03LA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.9mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 46W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1043 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc)  
Grundproduktnummer IPP14N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPP14N03LA.

Produkteigenschaften IPP14N03LA IPP139N08N3G IPP16CN10N IPP13N03LBG
Artikelnummer IPP14N03LA IPP139N08N3G IPP16CN10N IPP13N03LBG
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) INF
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -
Typ FET N-Channel N-Channel - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 - -
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 46W (Tc) 79W (Tc) - -
Grundproduktnummer IPP14N - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 80 V - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 6V, 10V - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 5 V 25 nC @ 10 V - -
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.9mOhm @ 30A, 10V 13.9mOhm @ 45A, 10V - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1043 pF @ 15 V 1730 pF @ 40 V - -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3 PG-TO220-3 - -
Paket Tube Bulk - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc) 45A (Tc) - -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA 3.5V @ 33µA - -

IPP14N03LA Datenblatt PDF

Laden Sie IPP14N03LA PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPP14N03LA - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
IPI,IPP14N03LA.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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