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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPP60R180C7
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPP60R180C7 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPP60R180C7
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPP60R180C7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
13A, 600V, 0.18OHM, N-CHANNEL MO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IPP60R180C7.pdf
vorrätig: 4350

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Anzahl

Spezifikation

IPP60R180C7 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPP60R180C7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPP60R180C7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 260µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-1  
Serie CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 5.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 68W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1080 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPP60R180C7.

Produkteigenschaften IPP60R180C7 IPP60R165CP IPP60R190C6XKSA1 IPP60R180P7
Artikelnummer IPP60R180C7 IPP60R165CP IPP60R190C6XKSA1 IPP60R180P7
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verlustleistung (max) 68W (Tc) 192W (Tc) 151W (Tc) -
Paket Bulk Bulk Tube Bulk
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1080 pF @ 400 V 2000 pF @ 100 V 1400 pF @ 100 V -
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Tc) 21A (Tc) 20.2A (Tc) -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3 -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 260µA 3.5V @ 790µA 3.5V @ 630µA -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole -
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ *
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 5.3A, 10V 165mOhm @ 12A, 10V 190mOhm @ 9.5A, 10V -

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Lieferzeit

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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