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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPP65R600E6
Infineon Technologies
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IPP65R600E6 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPP65R600E6
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPP65R600E6
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
600V COOLMOS POWER TRANSISTOR
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IPP65R600E6.pdf
vorrätig: 66820

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Spezifikation

IPP65R600E6 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPP65R600E6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPP65R600E6

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 210µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-1  
Serie CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 2.1A, 10V  
Verlustleistung (max) 63W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.3A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPP65R600E6.

Produkteigenschaften IPP65R600E6 IPP65R280E6 IPP65R600C6 IPP70N04S3-07
Artikelnummer IPP65R600E6 IPP65R280E6 IPP65R600C6 IPP70N04S3-07
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 2.1A, 10V 280mOhm @ 4.4A, 10V 600mOhm @ 2.1A, 10V 6.5mOhm @ 70A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Verlustleistung (max) 63W (Tc) 104W (Tc) 63W (Tc) 79W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 210µA 3.5V @ 440µA 3.5V @ 210µA 4V @ 50µA
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ OptiMOS™T
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 100 V 950 pF @ 100 V 440 pF @ 100 V 2700 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.3A (Tc) 13.8A (Tc) 7.3A (Tc) 80A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 650 V 650 V 40 V

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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