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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPP80N04S403AKSA1
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IPP80N04S403AKSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPP80N04S403AKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPP80N04S403AKSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IPP80N04S403AKSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 30464

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Anzahl

Spezifikation

IPP80N04S403AKSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPP80N04S403AKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPP80N04S403AKSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 53µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-1  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 80A, 10V  
Verlustleistung (max) 94W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5260 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)  
Grundproduktnummer IPP80N04  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPP80N04S403AKSA1.

Produkteigenschaften IPP80N04S403AKSA1 IPP80N06S2-H5 IPP80N06S2-09 IPP80N04S3-03
Artikelnummer IPP80N04S403AKSA1 IPP80N06S2-H5 IPP80N06S2-09 IPP80N04S3-03
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 53µA 4V @ 230µA 4V @ 125µA 4V @ 120µA
Paket Tube Bulk Bulk Bulk
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Verlustleistung (max) 94W (Tc) 300W (Tc) 190W (Tc) 188W (Tc)
Serie OptiMOS™ CoolMOS™ * *
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5260 pF @ 25 V 4400 pF @ 25 V 2360 pF @ 25 V 7300 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Grundproduktnummer IPP80N04 - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 80A, 10V 5.5mOhm @ 80A, 10V 9.1mOhm @ 50A, 10V 3.5mOhm @ 80A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 55 V 55 V 40 V

IPP80N04S403AKSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPP80N04S403AKSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPP80N04S403AKSA1 - Infineon Technologies herunter.

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