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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPP80N06S3L-08
IPP80N06S3L-08 Image
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IPP80N06S3L-08 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPP80N06S3L-08
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPP80N06S3L-08
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IPB(I,P)80N06S3L-08.pdf
vorrätig: 5470

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Spezifikation

IPP80N06S3L-08 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPP80N06S3L-08 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPP80N06S3L-08

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 55µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-1  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.9mOhm @ 43A, 10V  
Verlustleistung (max) 105W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6475 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 134 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)  
Grundproduktnummer IPP80N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPP80N06S3L-08.

Produkteigenschaften IPP80N06S3L-08 IPP80N06S2L-05 IPP80N06S2L-07 IPP80N06S2-H5
Artikelnummer IPP80N06S3L-08 IPP80N06S2L-05 IPP80N06S2L-07 IPP80N06S2-H5
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie OptiMOS™ * OptiMOS™ CoolMOS™
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.9mOhm @ 43A, 10V 4.8mOhm @ 80A, 10V 7mOhm @ 60A, 10V 5.5mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max) 105W (Tc) 300W (Tc) 210W (Tc) 300W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6475 pF @ 25 V 5700 pF @ 25 V 3160 pF @ 25 V 4400 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 55µA 2V @ 250µA 2V @ 150µA 4V @ 230µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc)
Grundproduktnummer IPP80N - IPP80N -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 134 nC @ 10 V 230 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Paket Tube Bulk Tube Bulk

IPP80N06S3L-08 Datenblatt PDF

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Datenblätter
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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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