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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPU04N03LA
IPU04N03LA Image
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IPU04N03LA - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPU04N03LA
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPU04N03LA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IP(D,F,S,U)04N03LA G.pdf
vorrätig: 5410

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Spezifikation

IPU04N03LA Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPU04N03LA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPU04N03LA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 80µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse P-TO251-3-1  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 115W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5199 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)  
Grundproduktnummer IPU04N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPU04N03LA.

Produkteigenschaften IPU04N03LA IPU10N03LA IPU05N03LA IPU13N03LA
Artikelnummer IPU04N03LA IPU10N03LA IPU05N03LA IPU13N03LA
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 80µA 2V @ 20µA 2V @ 50µA -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5199 pF @ 15 V 1358 pF @ 15 V 3110 pF @ 15 V -
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA -
Paket Tube Tube Tube -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 25 V 25 V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) 30A (Tc) 50A (Tc) -
Verlustleistung (max) 115W (Tc) 52W (Tc) 94W (Tc) -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole -
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ -
Grundproduktnummer IPU04N IPU10N IPU05N -
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 5 V 11 nC @ 5 V 25 nC @ 5 V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 50A, 10V 10.4mOhm @ 30A, 10V 5.3mOhm @ 30A, 10V -
Supplier Device-Gehäuse P-TO251-3-1 P-TO251-3-1 P-TO251-3-1 -

IPU04N03LA Datenblatt PDF

Laden Sie IPU04N03LA PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPU04N03LA - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 04/Jun/2009.pdf
Datenblätter
IP(D,F,S,U)04N03LA G.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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