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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPW60R199CP
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPW60R199CP - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPW60R199CP
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPW60R199CP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
16A, 600V, 0.199OHM, N-CHANNEL M
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IPW60R199CP.pdf
vorrätig: 3820

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Anzahl

Spezifikation

IPW60R199CP Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPW60R199CP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPW60R199CP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 660µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO247-3-21  
Serie CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 199mOhm @ 9.9A, 10V  
Verlustleistung (max) 139W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1520 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPW60R199CP.

Produkteigenschaften IPW60R199CP IPW60R250CP IPW60R299CP IPW60R190P6
Artikelnummer IPW60R199CP IPW60R250CP IPW60R299CP IPW60R190P6
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 660µA 3.5V @ 440µA - 4.5V @ 630µA
Paket Bulk Tube Bulk -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1520 pF @ 100 V 1200 pF @ 100 V - 1750 pF @ 100 V
Supplier Device-Gehäuse PG-TO247-3-21 PG-TO247-3-1 - PG-TO247
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V - 37 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 139W (Tc) 104W (Tc) - 151W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 199mOhm @ 9.9A, 10V 250mOhm @ 7.8A, 10V - 190mOhm @ 7.6A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Tc) 12A (Tc) - 20.2A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 - TO-247-3
Typ FET N-Channel N-Channel - N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ * -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 650 V - 600 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole - Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - -

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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