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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPW65R190E6
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPW65R190E6 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPW65R190E6
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPW65R190E6
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IPW65R190E6.pdf
RoHS Status
vorrätig: 17455

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Anzahl

Spezifikation

IPW65R190E6 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPW65R190E6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPW65R190E6

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 730µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO247-3-41  
Serie CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 7.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 151W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1620 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 73 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20.2A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPW65R190E6.

Produkteigenschaften IPW65R190E6 IPW90R1K0C3 IPW65R280C6 IPW65R280E6
Artikelnummer IPW65R190E6 IPW90R1K0C3 IPW65R280C6 IPW65R280E6
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1620 pF @ 100 V 850 pF @ 100 V 950 pF @ 100 V 950 pF @ 100 V
Verlustleistung (max) 151W (Tc) 89W (Tc) 104W (Tc) 104W (Tc)
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20.2A (Tc) 5.7A (Tc) 13.8A (Tc) 13.8A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 730µA 3.5V @ 370µA 3.5V @ 440µA 3.5V @ 440µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 7.3A, 10V 1Ohm @ 3.3A, 10V 280mOhm @ 4.4A, 10V 280mOhm @ 4.4A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 73 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS C6™ CoolMOS™
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse PG-TO247-3-41 PG-TO247-3-21 PG-TO247-3-41 PG-TO247-3-41
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 900 V 650 V 650 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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