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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPZ40N04S5L7R4ATMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPZ40N04S5L7R4ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPZ40N04S5L7R4ATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
IPZ40N04S5L7R4ATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 116420

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Anzahl

Spezifikation

IPZ40N04S5L7R4ATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 10µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TSDSON-8  
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.4mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 34W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 920 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc)  
Grundproduktnummer IPZ40N04  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPZ40N04S5L7R4ATMA1.

Produkteigenschaften IPZ40N04S5L7R4ATMA1 IPZ60R060C7XKSA1 IPZ65R045C7XKSA1 IPZ40N04S5L4R8ATMA1
Artikelnummer IPZ40N04S5L7R4ATMA1 IPZ60R060C7XKSA1 IPZ65R045C7XKSA1 IPZ40N04S5L4R8ATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon
Supplier Device-Gehäuse PG-TSDSON-8 PG-TO247-4 PG-TO247 -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 600 V 650 V -
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN TO-247-4 TO-247-4 -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 920 pF @ 25 V 2850 pF @ 400 V 4340 pF @ 400 V -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V -
Vgs (Max) ±16V ±20V ±20V -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 10µA 4V @ 800µA 4V @ 1.25mA -
FET-Merkmal - - - -
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 CoolMOS™ C7 CoolMOS™ C7 -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.4mOhm @ 20A, 10V 60mOhm @ 15.9A, 10V 45mOhm @ 24.9A, 10V -
Verlustleistung (max) 34W (Tc) 162W (Tc) 227W (Tc) -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V -
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole -
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc) 35A (Tc) 46A (Tc) -
Grundproduktnummer IPZ40N04 IPZ60R060 IPZ65R045 -

IPZ40N04S5L7R4ATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPZ40N04S5L7R4ATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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