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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIR1176S
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IR1176S - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR1176S
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR1176S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR LOW-SIDE 20SSOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
20-SSOP (0.209", 5.30mm Width)
Datenblatt
IR1176.pdf
vorrätig: 17900

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Spezifikation

IR1176S Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR1176S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR1176S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 4V ~ 5.25V  
Supplier Device-Gehäuse 20-SSOP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 20ns, 20ns  
Verpackung / Gehäuse 20-SSOP (0.209", 5.30mm Width)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 1  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH -  
Eingabetyp Non-Inverting  
Gate-Typ N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Low-Side  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 4A, 4A  
Ladestrom Single  
Grundproduktnummer IR1176  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR1176S.

Produkteigenschaften IR1176S IR1169STRPBF IR1169SPBF IR1176
Artikelnummer IR1176S IR1169STRPBF IR1169SPBF IR1176
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Supplier Device-Gehäuse 20-SSOP 8-SOIC 8-SOIC 20-PDIP
Verpackung / Gehäuse 20-SSOP (0.209", 5.30mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 20-DIP (0.300', 7.62mm)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -25°C ~ 125°C (TJ) -25°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Eingabetyp Non-Inverting Inverting Inverting Non-Inverting
Ladestrom Single Single Single Single
Angetriebene Konfiguration Low-Side Low-Side Low-Side Low-Side
Grundproduktnummer IR1176 IR1169 IR1169 IR1176
Logikspannung - VIL, VIH - 2V, 2.25V 2V, 2.25V -
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 4A, 4A 1A, 4A 1A, 4A 4A, 4A
Anzahl der Treiber 1 1 1 1
Gate-Typ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 20ns, 20ns 20ns, 10ns 20ns, 10ns 20ns, 20ns
Spannungsversorgung 4V ~ 5.25V 11V ~ 19V 11V ~ 19V 4V ~ 5.25V
Serie - Advanced Smart Rectifier™ Advanced Smart Rectifier™ -

IR1176S Datenblatt PDF

Laden Sie IR1176S PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR1176S - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
Datenblätter
IR1176.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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