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IR20153SPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR20153SPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR20153SPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IR20153S(PBF).pdf
vorrätig: 14690

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Anzahl

Spezifikation

IR20153SPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR20153SPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR20153SPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 5V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 200ns, 100ns  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 1  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 1.4V, 3V  
Eingabetyp Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 150 V  
Gate-Typ N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration High-Side  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 1.5A, 1.5A  
Ladestrom Single  
Grundproduktnummer IR20153  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR20153SPBF.

Produkteigenschaften IR20153SPBF IR20153STRPBF IR2011PBF IR2011SPBF
Artikelnummer IR20153SPBF IR20153STRPBF IR2011PBF IR2011SPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-DIP (0.300', 7.62mm) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Anzahl der Treiber 1 1 2 2
Ladestrom Single Single Independent Independent
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Eingabetyp Inverting Inverting Inverting Inverting
Angetriebene Konfiguration High-Side High-Side High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side
Grundproduktnummer IR20153 IR20153 IR2011 IR2011
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-PDIP 8-SOIC
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 1.5A, 1.5A 1.5A, 1.5A 1A, 1A 1A, 1A
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Gate-Typ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 200ns, 100ns 200ns, 100ns 35ns, 20ns 35ns, 20ns
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 150 V 150 V 200 V 200 V
Logikspannung - VIL, VIH 1.4V, 3V 1.4V, 3V 0.7V, 2.2V 0.7V, 2.2V
Spannungsversorgung 5V ~ 20V 5V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V

IR20153SPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IR20153SPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR20153SPBF - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
Datenblätter
IR20153S(PBF).pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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