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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIR2105STR
IR2105STR Image
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IR2105STR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR2105STR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR2105STR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
vorrätig: 5370

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Anzahl

Spezifikation

IR2105STR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR2105STR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR2105STR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 100ns, 50ns  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 210mA, 360mA  
Ladestrom Synchronous  
Grundproduktnummer IR2105  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR2105STR.

Produkteigenschaften IR2105STR IR21064 IR21064S IR21064PBF
Artikelnummer IR2105STR IR21064 IR21064S IR21064PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 210mA, 360mA 200mA, 350mA 200mA, 350mA 200mA, 350mA
Serie - - - -
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3V 0.8V, 2.9V 0.8V, 2.9V 0.8V, 2.9V
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 100ns, 50ns 150ns, 50ns 150ns, 50ns 150ns, 50ns
Ladestrom Synchronous Independent Independent Independent
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 14-DIP 14-SOIC 14-DIP
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Grundproduktnummer IR2105 IR21064 IR21064 IR21064
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 14-DIP (0.300', 7.62mm) 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 14-DIP (0.300', 7.62mm)
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V

IR2105STR Datenblatt PDF

Laden Sie IR2105STR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR2105STR - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
Datenblätter
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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