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IR2108S - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR2108S
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR2108S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IR2108(4) (S) (PbF).pdf
vorrätig: 9820

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Anzahl

Spezifikation

IR2108S Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR2108S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR2108S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 150ns, 50ns  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.9V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 200mA, 350mA  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer IR2108  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR2108S.

Produkteigenschaften IR2108S IR2107S IR2108STR IR2108SPBF
Artikelnummer IR2108S IR2107S IR2108STR IR2108SPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.9V 0.8V, 2.7V 0.8V, 2.9V 0.8V, 2.9V
Grundproduktnummer IR2108 IR2107S IR2108 IR2108
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Serie - - - -
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Ladestrom Independent Independent Independent Independent
Eingabetyp Non-Inverting Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 150ns, 50ns 150ns, 50ns 150ns, 50ns 150ns, 50ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 200mA, 350mA 200mA, 350mA 200mA, 350mA 200mA, 350mA
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC

IR2108S Datenblatt PDF

Laden Sie IR2108S PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR2108S - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
Datenblätter
IR2108(4) (S) (PbF).pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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