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IR21362PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR21362PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR21362PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
28-DIP (0.600", 15.24mm)
Datenblatt
IR21362PBF.pdf
vorrätig: 10270

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Spezifikation

IR21362PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR21362PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR21362PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 11.5V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 28-PDIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 125ns, 50ns  
Verpackung / Gehäuse 28-DIP (0.600", 15.24mm)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 6  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Through Hole  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3V  
Eingabetyp Inverting, Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 200mA, 350mA  
Ladestrom 3-Phase  
Grundproduktnummer IR21362  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR21362PBF.

Produkteigenschaften IR21362PBF IR2135STR IR21362STR IR21362JPBF
Artikelnummer IR21362PBF IR2135STR IR21362STR IR21362JPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 200mA, 350mA 250mA, 500mA 200mA, 350mA 200mA, 350mA
Serie - - - -
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3V 0.8V, 2.2V 0.8V, 3V 0.8V, 3V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) 125°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Anzahl der Treiber 6 6 6 6
Ladestrom 3-Phase 3-Phase 3-Phase 3-Phase
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse 28-PDIP 28-SOIC 28-SOIC 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 125ns, 50ns 90ns, 40ns 125ns, 50ns 125ns, 50ns
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Eingabetyp Inverting, Non-Inverting Inverting Inverting, Non-Inverting Inverting, Non-Inverting
Grundproduktnummer IR21362 IR2135 IR21362 IR21362
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Spannungsversorgung 11.5V ~ 20V 10V ~ 20V 11.5V ~ 20V 11.5V ~ 20V
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Verpackung / Gehäuse 28-DIP (0.600", 15.24mm) 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 44-LCC (J-Lead), 32 Leads

IR21362PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IR21362PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR21362PBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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