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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIR2182
IR2182 Image
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IR2182 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR2182
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR2182
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-DIP (0.300', 7.62mm)
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
IR2181(4)(S) (PbF).pdf
vorrätig: 7940

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Anzahl

Spezifikation

IR2182 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR2182 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR2182

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 8-PDIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 40ns, 20ns  
Verpackung / Gehäuse 8-DIP (0.300', 7.62mm)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Through Hole  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.7V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 1.9A, 2.3A  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer IR2182  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR2182.

Produkteigenschaften IR2182 IR21814 IR21824S IR2181STRPBF
Artikelnummer IR2182 IR21814 IR21824S IR2181STRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.7V 0.8V, 2.7V 0.8V, 2.7V 0.8V, 2.7V
Grundproduktnummer IR2182 IR21814 IR21824 IR2181
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Supplier Device-Gehäuse 8-PDIP 14-DIP 14-SOIC 8-SOIC
Paket Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 1.9A, 2.3A 1.9A, 2.3A 1.9A, 2.3A 1.9A, 2.3A
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-DIP (0.300', 7.62mm) 14-DIP (0.300', 7.62mm) 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 40ns, 20ns 40ns, 20ns 40ns, 20ns 40ns, 20ns
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
Ladestrom Independent Independent Independent Independent

IR2182 Datenblatt PDF

Laden Sie IR2182 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR2182 - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
Cylindrical Battery Holders.pdf
HTML -Datenblatt
IR2181(4)(S) (PbF).pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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