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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIR2233
IR2233 Image
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IR2233 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR2233
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR2233
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
28-DIP (0.600", 15.24mm)
Datenblatt
IR2233.pdf
vorrätig: 16880

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Anzahl

Spezifikation

IR2233 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR2233 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR2233

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 28-PDIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 90ns, 40ns  
Verpackung / Gehäuse 28-DIP (0.600", 15.24mm)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur 125°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 6  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Through Hole  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2V  
Eingabetyp Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 1200 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA  
Ladestrom 3-Phase  
Grundproduktnummer IR2233  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR2233.

Produkteigenschaften IR2233 IR2233JTRPBF IR2213S IR2214SSTRPBF
Artikelnummer IR2233 IR2233JTRPBF IR2213S IR2214SSTRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 1200 V 1200 V 1200 V 1200 V
Grundproduktnummer IR2233 IR2233 IR2213 IR2214
Anzahl der Treiber 6 6 2 2
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Ladestrom 3-Phase 3-Phase Independent Independent
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Eingabetyp Inverting Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Supplier Device-Gehäuse 28-PDIP 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58) 16-SOIC 24-SSOP
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 90ns, 40ns 90ns, 40ns 25ns, 17ns 24ns, 7ns
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 10V ~ 20V 12V ~ 20V 11.5V ~ 20V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur 125°C (TJ) 125°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse 28-DIP (0.600", 15.24mm) 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 24-SSOP (0.209', 5.30mm Width)
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2V 0.8V, 2V 6V, 9.5V 0.8V, 2V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA 250mA, 500mA 2A, 2.5A 2A, 3A

IR2233 Datenblatt PDF

Laden Sie IR2233 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR2233 - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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