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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF1010ZPBF
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IRF1010ZPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF1010ZPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF1010ZPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRF1010ZPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 35273

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Anzahl

Spezifikation

IRF1010ZPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF1010ZPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF1010ZPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 140W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF1010  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF1010ZPBF.

Produkteigenschaften IRF1010ZPBF IRF1018ESPBF IRF1010NSTRRPBF IRF1010ZSPBF
Artikelnummer IRF1010ZPBF IRF1018ESPBF IRF1010NSTRRPBF IRF1010ZSPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Bulk
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Verlustleistung (max) 140W (Tc) 110W (Tc) 180W (Tc) 140W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc) 79A (Tc) 85A (Tc) 75A (Tc)
Grundproduktnummer IRF1010 - IRF1010 -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 60 V 55 V 55 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 25 V 2290 pF @ 50 V 3210 pF @ 25 V 2840 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB D2PAK D2PAK D2PAK
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 75A, 10V 8.4mOhm @ 47A, 10V 11mOhm @ 43A, 10V 7.5mOhm @ 75A, 10V
FET-Merkmal - - - -

IRF1010ZPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF1010ZPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF1010ZPBF - Infineon Technologies herunter.

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