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IRF1404ZSPBF Image
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IRF1404ZSPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF1404ZSPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF1404ZSPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRF1404ZSPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4820

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Anzahl

Spezifikation

IRF1404ZSPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF1404ZSPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF1404ZSPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 200W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4340 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF1404ZSPBF.

Produkteigenschaften IRF1404ZSPBF IRF1405S IRF1405LPBF IRF1405PBF
Artikelnummer IRF1404ZSPBF IRF1405S IRF1405LPBF IRF1405PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D2PAK TO-262 TO-220AB
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 75A, 10V 5.3mOhm @ 101A, 10V 5.3mOhm @ 101A, 10V 5.3mOhm @ 101A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 55 V 55 V 55 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180A (Tc) 131A (Tc) 131A (Tc) 169A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4340 pF @ 25 V 5480 pF @ 25 V 5480 pF @ 25 V 5480 pF @ 25 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 200W (Tc) 200W (Tc) 200W (Tc) 330W (Tc)

IRF1404ZSPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF1404ZSPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF1404ZSPBF - Infineon Technologies herunter.

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