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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF1405ZSTRRPBF
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IRF1405ZSTRRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF1405ZSTRRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF1405ZSTRRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRF1405Z(S,L)PbF.pdf
vorrätig: 3950

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Spezifikation

IRF1405ZSTRRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF1405ZSTRRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF1405ZSTRRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 230W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4780 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF1405ZSTRRPBF.

Produkteigenschaften IRF1405ZSTRRPBF IRF1405ZLPBF IRF1405ZS-7P IRF1405ZSTRL7PP
Artikelnummer IRF1405ZSTRRPBF IRF1405ZLPBF IRF1405ZS-7P IRF1405ZSTRL7PP
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4780 pF @ 25 V 4780 pF @ 25 V 5360 pF @ 25 V 5360 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9mOhm @ 75A, 10V 4.9mOhm @ 75A, 10V 4.9mOhm @ 88A, 10V 4.9mOhm @ 88A, 10V
Supplier Device-Gehäuse D2PAK TO-262 D2PAK (7-Lead) D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 230 nC @ 10 V 230 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 150µA 4V @ 150µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 230W (Tc) 230W (Tc) 230W (Tc) 230W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount

IRF1405ZSTRRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF1405ZSTRRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF1405ZSTRRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
IRF1405Z(S,L)PbF.pdf

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