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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF2805STRRPBF
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IRF2805STRRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF2805STRRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF2805STRRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRF2805STRRPBF.pdf
vorrätig: 3880

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Spezifikation

IRF2805STRRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF2805STRRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF2805STRRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 104A, 10V  
Verlustleistung (max) 200W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5110 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 230 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 135A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF2805STRRPBF.

Produkteigenschaften IRF2805STRRPBF IRF2807PBF IRF2807L IRF2804STRR7PP
Artikelnummer IRF2805STRRPBF IRF2807PBF IRF2807L IRF2804STRR7PP
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 135A (Tc) 82A (Tc) 82A (Tc) 160A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 200W (Tc) 230W (Tc) 230W (Tc) 330W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK TO-220AB TO-262 D2PAK (7-Lead)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 75 V 75 V 40 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 104A, 10V 13mOhm @ 43A, 10V 13mOhm @ 43A, 10V 1.6mOhm @ 160A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 230 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5110 pF @ 25 V 3820 pF @ 25 V 3820 pF @ 25 V 6930 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IRF2805STRRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF2805STRRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF2805STRRPBF - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
IR Part Numbering System.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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