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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF2907ZSTRLPBF
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IRF2907ZSTRLPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF2907ZSTRLPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF2907ZSTRLPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRF2907ZSTRLPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 11932

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Anzahl

Spezifikation

IRF2907ZSTRLPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF2907ZSTRLPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF2907ZSTRLPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 160A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF2907  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF2907ZSTRLPBF.

Produkteigenschaften IRF2907ZSTRLPBF IRF3000PBF IRF2907ZS-7PPBF IRF2907ZSPBF
Artikelnummer IRF2907ZSTRLPBF IRF3000PBF IRF2907ZS-7PPBF IRF2907ZSPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Grundproduktnummer IRF2907 - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse D2PAK 8-SO D2PAK (7-Lead) D2PAK
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V 300 V 75 V 75 V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V 400mOhm @ 960mA, 10V 3.8mOhm @ 110A, 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 160A (Tc) 1.6A (Ta) 160A (Tc) 160A (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Bulk
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 2.5W (Ta) 300W (Tc) 300W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7500 pF @ 25 V 730 pF @ 25 V 7580 pF @ 25 V 7500 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

IRF2907ZSTRLPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF2907ZSTRLPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF2907ZSTRLPBF - Infineon Technologies herunter.

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