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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF3704ZPBF
IRF3704ZPBF Image
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IRF3704ZPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF3704ZPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF3704ZPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 67A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRF3704ZPBF.pdf
vorrätig: 4220

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Anzahl

Spezifikation

IRF3704ZPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF3704ZPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF3704ZPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.9mOhm @ 21A, 10V  
Verlustleistung (max) 57W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1220 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 67A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF3704ZPBF.

Produkteigenschaften IRF3704ZPBF IRF3706LPBF IRF3706S IRF3706PBF
Artikelnummer IRF3704ZPBF IRF3706LPBF IRF3706S IRF3706PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verlustleistung (max) 57W (Tc) 88W (Tc) 88W (Tc) 88W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.9mOhm @ 21A, 10V 8.5mOhm @ 15A, 10V 8.5mOhm @ 15A, 10V 8.5mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-262 D2PAK TO-220AB
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±12V ±12V ±12V
VGS (th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 67A (Tc) 77A (Tc) 77A (Tc) 77A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V 35 nC @ 4.5 V 35 nC @ 4.5 V 35 nC @ 4.5 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 2.8V, 10V 2.8V, 10V 2.8V, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1220 pF @ 10 V 2410 pF @ 10 V 2410 pF @ 10 V 2410 pF @ 10 V

IRF3704ZPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF3704ZPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF3704ZPBF - Infineon Technologies herunter.

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