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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF3709ZSTRRPBF
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IRF3709ZSTRRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF3709ZSTRRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF3709ZSTRRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRF3709ZSTRRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 38015

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Anzahl

Spezifikation

IRF3709ZSTRRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF3709ZSTRRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF3709ZSTRRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3mOhm @ 21A, 10V  
Verlustleistung (max) 79W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2130 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 87A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF3709  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF3709ZSTRRPBF.

Produkteigenschaften IRF3709ZSTRRPBF IRF3709ZS IRF3710PBF IRF3709ZCS
Artikelnummer IRF3709ZSTRRPBF IRF3709ZS IRF3710PBF IRF3709ZCS
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verlustleistung (max) 79W (Tc) 79W (Tc) 200W (Tc) 79W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3mOhm @ 21A, 10V 6.3mOhm @ 21A, 10V 23mOhm @ 28A, 10V 6.3mOhm @ 21A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 4.5 V 26 nC @ 4.5 V 130 nC @ 10 V 26 nC @ 4.5 V
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Grundproduktnummer IRF3709 - IRF3710 -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 87A (Tc) 87A (Tc) 57A (Tc) 87A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 100 V 30 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2130 pF @ 15 V 2130 pF @ 15 V 3130 pF @ 25 V 2130 pF @ 15 V
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D2PAK TO-220AB D2PAK
VGS (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA 2.25V @ 250µA 4V @ 250µA 2.25V @ 250µA

IRF3709ZSTRRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF3709ZSTRRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF3709ZSTRRPBF - Infineon Technologies herunter.

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