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IRF3710STRLPBF Image
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IRF3710STRLPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF3710STRLPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF3710STRLPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRF3710STRLPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 23636

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Anzahl

Spezifikation

IRF3710STRLPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF3710STRLPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF3710STRLPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 28A, 10V  
Verlustleistung (max) 200W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3130 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 57A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF3710  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF3710STRLPBF.

Produkteigenschaften IRF3710STRLPBF IRF3710ZPBF IRF3710ZSPBF IRF3710PBF
Artikelnummer IRF3710STRLPBF IRF3710ZPBF IRF3710ZSPBF IRF3710PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3130 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 3130 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Grundproduktnummer IRF3710 IRF3710 - IRF3710
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 57A (Tc) 59A (Tc) 59A (Tc) 57A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tube
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Verlustleistung (max) 200W (Tc) 160W (Tc) 160W (Tc) 200W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 28A, 10V 18mOhm @ 35A, 10V 18mOhm @ 35A, 10V 23mOhm @ 28A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Supplier Device-Gehäuse D2PAK TO-220AB D2PAK TO-220AB

IRF3710STRLPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF3710STRLPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF3710STRLPBF - Infineon Technologies herunter.

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