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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF3805STRL-7PP
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Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRF3805STRL-7PP - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF3805STRL-7PP
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF3805STRL-7PP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Datenblatt
IRF3805STRL-7PP.pdf
RoHS Status
vorrätig: 15232

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Anzahl

Spezifikation

IRF3805STRL-7PP Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF3805STRL-7PP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF3805STRL-7PP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK (7-Lead)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 140A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7820 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 160A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF3805  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF3805STRL-7PP.

Produkteigenschaften IRF3805STRL-7PP IRF3805S IRF3805PBF IRF3805SPBF
Artikelnummer IRF3805STRL-7PP IRF3805S IRF3805PBF IRF3805SPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7820 pF @ 25 V 7960 pF @ 25 V 7960 pF @ 25 V 7960 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 160A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 330W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 140A, 10V 3.3mOhm @ 75A, 10V 3.3mOhm @ 75A, 10V 3.3mOhm @ 75A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V 290 nC @ 10 V 290 nC @ 10 V 290 nC @ 10 V
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Supplier Device-Gehäuse D2PAK (7-Lead) D2PAK TO-220AB D2PAK
Grundproduktnummer IRF3805 - IRF3805 -

IRF3805STRL-7PP Datenblatt PDF

Laden Sie IRF3805STRL-7PP PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF3805STRL-7PP - Infineon Technologies herunter.

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Asien Indien 4
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