IRF5305LPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF5305LPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF5305LPBF

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	TO-262
Serie	HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 16A, 10V
Verlustleistung (max)	3.8W (Ta), 110W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paket	Tube

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	63 nC @ 10 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	31A (Tc)
Grundproduktnummer	IRF5305

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF5305LPBF.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	IRF5305LPBF	IRF530	IRF5305PBF	IRF530
Hersteller	Infineon Technologies	STMicroelectronics	Infineon Technologies	Harris Corporation
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1200 pF @ 25 V	458 pF @ 25 V	1200 pF @ 25 V	800 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse	TO-262	TO-220	TO-220AB	TO-220AB
Serie	HEXFET®	STripFET™ II	HEXFET®	-
Vgs (Max)	±20V	±20V	±20V	±20V
Befestigungsart	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Verpackung / Gehäuse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	TO-220-3	TO-220-3	TO-220-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	10V	10V	-
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	31A (Tc)	14A (Tc)	31A (Tc)	14A (Tc)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55 V	100 V	55 V	100 V
FET-Merkmal	-	-	-	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	63 nC @ 10 V	21 nC @ 10 V	63 nC @ 10 V	-
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Paket	Tube	Tube	Tube	Tube
Grundproduktnummer	IRF5305	IRF5	IRF5305	-
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 16A, 10V	160mOhm @ 7A, 10V	60mOhm @ 16A, 10V	180mOhm @ 8A, 10V
Typ FET	P-Channel	N-Channel	P-Channel	N-Channel
Verlustleistung (max)	3.8W (Ta), 110W (Tc)	60W (Tc)	110W (Tc)	75W (Tc)

IRF5305LPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF5305LPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF5305LPBF - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente: IR Part Numbering System.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL: Multiple Devices 25/Apr/2014.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft: D2PAK Additional Assembly Site 17/Dec/2013.pdf

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Ozeanien	Neuseeland	5
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Asien	Japan	4
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2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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