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IRF540NSPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF540NSPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF540NSPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRF540NSPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4330

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Anzahl

Spezifikation

IRF540NSPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF540NSPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF540NSPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44mOhm @ 16A, 10V  
Verlustleistung (max) 130W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1960 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 71 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 33A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF540NSPBF.

Produkteigenschaften IRF540NSPBF IRF540NLPBF IRF540NL IRF540NPBF
Artikelnummer IRF540NSPBF IRF540NLPBF IRF540NL IRF540NPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 33A (Tc) 33A (Tc) 33A (Tc) 33A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44mOhm @ 16A, 10V 44mOhm @ 16A, 10V 44mOhm @ 16A, 10V 44mOhm @ 16A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 130W (Tc) 130W (Tc) 130W (Tc) 130W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse D2PAK TO-262 TO-262 TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 71 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1960 pF @ 25 V 1960 pF @ 25 V 1960 pF @ 25 V 1960 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3

IRF540NSPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF540NSPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF540NSPBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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