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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF60SC241ARMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRF60SC241ARMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF60SC241ARMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF60SC241ARMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 360A TO263-7
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Datenblatt
IRF60SC241ARMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 8984

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Spezifikation

IRF60SC241ARMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF60SC241ARMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF60SC241ARMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-7  
Serie StrongIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.4W (Ta), 417W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 16000 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 388 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 360A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF60SC241  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF60SC241ARMA1.

Produkteigenschaften IRF60SC241ARMA1 IRF6100 IRF610LPBF IRF60R217
Artikelnummer IRF60SC241ARMA1 IRF6100 IRF610LPBF IRF60R217
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 360A (Tc) 5.1A (Ta) 3.3A (Tc) 58A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±12V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 2.4W (Ta), 417W (Tc) 2.2W (Ta) 3W (Ta), 36W (Tc) 83W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) 4-FlipFet™ TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 2.5V, 4.5V 10V 6V, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Grundproduktnummer IRF60SC241 - IRF610 IRF60R217
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 16000 pF @ 30 V 1230 pF @ 15 V 140 pF @ 25 V 2170 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA 1.2V @ 250µA 4V @ 250µA 3.7V @ 50µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 100A, 10V 65mOhm @ 5.1A, 4.5V 1.5Ohm @ 2A, 10V 9.9mOhm @ 35A, 10V
Serie StrongIRFET™ HEXFET® - StrongIRFET™
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 388 nC @ 10 V 21 nC @ 5 V 8.2 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-7 4-FlipFet™ I2PAK D-PAK (TO-252AA)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 20 V 200 V 60 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

IRF60SC241ARMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IRF60SC241ARMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF60SC241ARMA1 - Infineon Technologies herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Label Chgs 8/Sep/2021.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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