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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF6617TRPBF
Infineon Technologies
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IRF6617TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF6617TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF6617TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IRF6617 - 12V-300V N-CHANNEL POW
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric ST
Datenblatt
IRF6617TRPBF.pdf
vorrätig: 61530

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Spezifikation

IRF6617TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF6617TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF6617TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ ST  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.1mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.1W (Ta), 42W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric ST  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta), 55A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF6617TRPBF.

Produkteigenschaften IRF6617TRPBF IRF6619 IRF6619TR1PBF IRF6618TR1
Artikelnummer IRF6617TRPBF IRF6619 IRF6619TR1PBF IRF6618TR1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 250µA 2.45V @ 250µA 2.45V @ 250µA 2.35V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric ST DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MT
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V 57 nC @ 4.5 V 57 nC @ 4.5 V 65 nC @ 4.5 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.1mOhm @ 15A, 10V 2.2mOhm @ 30A, 10V 2.2mOhm @ 30A, 10V 2.2mOhm @ 30A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta), 55A (Tc) 30A (Ta), 150A (Tc) 30A (Ta), 150A (Tc) 30A (Ta), 170A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ ST DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MT
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 15 V 5040 pF @ 10 V 5040 pF @ 10 V 5640 pF @ 15 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 20 V 20 V 30 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Verlustleistung (max) 2.1W (Ta), 42W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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