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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF6633ATRPBF
Infineon Technologies
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IRF6633ATRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF6633ATRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF6633ATRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric MU
Datenblatt
IRF6633A(TR)PbF.pdf
vorrätig: 4640

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Spezifikation

IRF6633ATRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF6633ATRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF6633ATRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MU  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 16A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.3W (Ta), 42W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MU  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1410 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Ta), 69A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF6633ATRPBF.

Produkteigenschaften IRF6633ATRPBF IRF6633TRPBF IRF6628TR1PBF IRF6636
Artikelnummer IRF6633ATRPBF IRF6633TRPBF IRF6628TR1PBF IRF6636
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MU DIRECTFET™ MP DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ ST
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.35V @ 100µA 2.45V @ 250µA
Verlustleistung (max) 2.3W (Ta), 42W (Tc) 2.3W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 96W (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MU DirectFET™ Isometric MP DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric ST
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 25 V 20 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1410 pF @ 10 V 1250 pF @ 10 V 3770 pF @ 15 V 2420 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V 17 nC @ 4.5 V 47 nC @ 4.5 V 27 nC @ 4.5 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Ta), 69A (Tc) 16A (Ta), 59A (Tc) 27A (Ta), 160A (Tc) 18A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 16A, 10V 5.6mOhm @ 16A, 10V 2.5mOhm @ 27A, 10V 4.5mOhm @ 18A, 10V

IRF6633ATRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF6633ATRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF6633ATRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
IRF6633A(TR)PbF.pdf

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